Phase-change Random Acces Memory
Prema najnovijim informacijama koje stižu iz kompanije Samsung, tehnologija će se svesti na strukture od svega 20 nm sa trenutnih 70 i 60 nm. Ova kompanija je pored toga najavila i memoriju koja će po svoj prilici da zameni NOR Flash: Phase-change Random Acces Memory (PRAM) obećava 30x veću brzinu i 10 duži životni vek flash-a. Flash memorija najvećeg kapaciteta koja se trenutno može pronaći na tržištu ima 16 Gb, ali u ovoj kompaniji veruju da će se uskoro pojaviti i uređaji sa više i od 100 Gb prostora.