Juče su Toshiba i NEC najavili dva nova proizvoda; High Density FeRAM i novu MRAM tehnologiju koja je u stanju da čita/piše brzinom od 200 MB/s. Najveći problem MRAM-a još od uvođenja je bilo dostizanje brzine zapisa tradicionalnog DRAM-a. Glavna prednost MRAM-a nad tradicionalnim DRAM-om i SRAM-om je u tome što bitovima nije potreban elektricitet da bi čuvali stanje podataka. DRAM-u i SRAM-u su potrebne relativno velike količine elektriciteta da bi ’čuvali’ bitove na svom mestu. Zato je MRAM-u potreban samo deo struje koji je potreban DRAM-u i SRAM-u. FeRAM smešta 64 megabita na jedan čip uz pomoć 130nm-skih interkonekcija - ali ima relativno veliko vreme ciklusa od 60 nanosekundi. MRAM manje gustine koji je takođe najavljen juče ima 130nm-ske interkonekcije između 240nm-skih memorijskih ’ćelija’.