Seiko Epson FeRAM moduli
Seiko Epson je uspešno razvila Feroelektričnu Random Acess Memoriju (FeRAM) – tip poluprovodničke memorije sledeće generacije – koji omogućava broj ciklusa ponovnog zapisivanja koji je i do deset puta veći nego kod konvencionalnih proizvoda. FeRAM radi 100000 puta brže nego EEPROM i troši manje energije i ima potencijal ne samo kod postojećih nepromenljivih primena memorije kao što su IC kartice i mobilni telefoni već i kao zamena za poluprovodničku memoriju kod ugrađenih aplikacija. Kao vid komercijalizacije novog tipa memorije, Epson je razvio FeRAM tehnologiju baziranu na novom materijalu nazvanom PZTN.