
Samsung Electronic je na VM World prikazao svoju najnoviju DDR3 memoriju niskog profila koja je visine svega 18.75mm. Ova memorija je demonstrirana u okviru IBM HS22V servera koji pokreće Xeon 5600 procesor. Memorija je izrađena korišćenjem 40nm tehnološkog procesa. Ova memorija se sastoji od 18 dual die package čipova kapaciteta 4Gb što zajedno daje 16GB memorije. Radni napon ove memorije je 1.35V i ona troši 70% manje energije nego četiri 4GB DDR3 modula i preko 40% manje nego dva 8GB modula. Memorija visoke gustine i niskog profila može da omogući uvećane performanse u primenama kao što su baze podataka, navodi se u saopštenju Samsunga.