Novi detalji o DDR3 memoriji
Na IDF konferenciji obelodanjeni su i neki detalji od DDR3 memoriji koju proizvode Intel-ovi partneri. Kompanija Hynix je prikazala DDR3 memoriju kapaciteta 2GB, radnog takta 1066MHz sa timings-om 7-7-7. Sa druge strane Samsung je predstavio module izrađene u 80nm procesu iako se u prvi mah činilo da su izrađeni u 70nm tehnologiji. Port-parol kompanije je objasnio da zbog povećanja brzine je potrebno izraditi veće ćelije sa većim silikonskim međuprostorima, što čini da cela matrica bude veća. Samsung ne želi da pređe na 70nm proces izrade pre nego što se dostigne kritična masa komponenti koje podržavaju DDR3, što se ne očekuje pre drugog kvartala sledeće godine.