
Samsung Electronics je nedavno objavila informaciju da će korišćenjem 50nm proizvodnog procesa biti u mogućnosti da proizvede najmanji 2GB DDR3 DRAM. Ono što će biti jedna od najvažnijih karakteristika ovih 2GB čipova jeste 40% manja potrošnja nego kod trenutnih dual-chip (2x1GB) rešenja kao i podrška brzine prenosa podataka do 1.3Gbps (1333MHz). Novi 2GB DRAM će proizvođačima memorije omogućiti da u svoju ponudu uvrste 8GB RIMM i 4GB SO-DIMM kao i UDIMM čime će se odgovoriti na sve veće potrebe za memorijom u svim dostupnim kategorijama – servera, portabl i desktop računara. Samsung je masovnu proizvodnju 50nm zakazao za kraj godine.