Fujitsu predstavlja novi FeRAM
Fujitsu Microelectronics America, Inc. (FMA) objavila je da su tokijski tehnološki institut (Tokyo -tech), Fujitsu Laboratories Ltd., i Fujitsu Limited udružili svoje snage radi razvoja novog materijala za novu generaciju Feroelectric Random Access Memory (FeRAM). Materijal je modifikovani sastav bizmut ferita (BiFeO3 ili BFO) koji omogućuje pet puta veći kapacitet skladištenja nego što ovaj materijal to trenutno dozvoljava u FeRAM proizvodnji. Novi FeRAM će se proizvoditi sa Fujitsu 65nm tehnologijom korišćenjem BFO-baziranog materijala u uređaju čija je struktura slična onoj koja je korišćena za izradu FeRAM korišćenjem 180nm tehnologije.