Samsung je danas najavio tržište lansirao Flashbolt, svoju treću generaciju High Bandwidth Memory 2E (HBM2E). Spreman da isporuči dvostruko veći kapacitet od prethodne generacije HBM2 Aquabolt od 8GB, novi Flashbolt naglo povećava performanse i efikasnost napajanja, čime značajno poboljšava računarske sisteme nove generacije. Kapacitet 16GB postiže se vertikalnim slaganjem osam slojeva DRN-klase (1i) 16-gigabitne (Gb) DRAM-a. Ovaj paket HBM2E se zatim međusobno povezuje u preciznom rasporedu od više od 40.000 preko silikona preko (TSV) mikrobumba, pri čemu svaka 16Gb matrica sadrži preko 5.600 ovih mikroskopskih rupa. Samsungov novi 16-gigabajtni (GB) HBM2E obezbeđuje visoko pouzdanu brzinu prenosa podataka od 3,2 gigabita po sekundi (Gbps) korišćenjem dizajna svojstvenog optimizovanog kola za prenos signala, istovremeno nudeći opseg memorije od 410GB/s po nizu.
Samsungov HBM2E takođe može postići brzinu prenosa od 4,2 Gbps, maksimalnu do sada testiranu brzinu podataka, omogućavajući do 538GB/s propusnog opsega po nizu u određenim budućim aplikacijama. Ovo bi predstavljalo unapređenje od 1.75k u odnosu na Aquabolt-ovih 307GB/s.