Dobijeni hibrid nudi značajno unapređene performanse i dugotrajnost, a može biti i model koji će proizvođačima pomoći da prevaziđu neke od problema koji se vezuju za smanjenje dimenzija flash memorije. Trenutno se NAND skaliranje suočava sa velikim brojem problema. Flash koji je dizajniran na manjim procesnim čvorovima je manje otporan.
Pokušaji da se pređe sa MLC, dva bita po ćeliji, na TLC, tri bita po ćeliji, u velikoj meri su usporeni zbog toga što je drastično smanjen broj ciklusa pisanja koji TLC flash može da izvrši; QLC flash, četiri bita po ćeliji, ostaje samo puka želja. U teoriji, ReRAM hibrid bi mogao da reši veliki broj postojećih problema.
ReRAM, Resistive Random-Access Memory, predstavlja jednu od mnogobrojnih tehnologija koje su u fazi razvoja od strane kompanija koje tragaju sa sledećom generacijom sredstava za skladištenje koja će zameniti NAND flash. U tom kontekstu, njegova glavna prednost u odnosu na flash jeste da je izdržljiviji i zahteva daleko manje energije po ciklusu pisanja. Istraživački tim predlaže hibridni drajv koji kombinuje 256GB NAND uz 1GB ReRAM-a za keširanje i skladištenje.
Umesto direktnog pisanja na NAND, zapisi bi bili keširani u okviru ReRAM-a dok ne bude dostignut određeni prag. Nakon toga se vrši zapisivanje u grupama čime se smanjuje fragmentacija podataka i značajno umanjuje broj ciklusa pisanja koje vrši NAND flash. Podaci se učitavaju i obrađuju na osnovu tri algoritma. Prvi, antifragmentacioni filter osigurava da su zapisi uskladišteni dok ne dostignu najmanje 60% od 16k u zavisnosti od ReRAM kapaciteta.
Drugo, podaci preko kojih je pisano u NAND-u se kopiraju u bafer da bi se sprečila fragmentacija i dodatni ciklusi ponovnog pisanja. Na kraju, bafer čuva zapise o adresama kojima se najviše pristupalo. Ukoliko su podaci zapisani i onda se brzo pisalo preko njih, ažuriranje se vrši u ReRAM a ne u NAND-u. Ono što treba imati na umu jeste da ReRAM bafer tehnika nikako ne rešava dugoročnu potrebu za NAND zamenom, ali bi to bio odličan način za implementiranje rane proizvodnje dok razvoj još traje.
Tim tek treba da kreira fizički prototip njihovog dizajna tako da ove zaključke i rezultate treba uzeti sa određenom dozom uzdržanosti. Ako se i desi da ReRAM pristup ne obezbedi odgovarajuće rezultate, u budućnosti možemo očekivati različite vrste bafera. Teoretski, proizvođači drajvova mogu kreirati specijalne blokove pouzdanog SLC flash keša koji je okružen MLC ili TLC glavnim drajvom.
Dok bi čitav drajv i dalje koristio NAND, rapidno zapisivanje prvo bi se vršilo na SLC bloku dok bi unapređena izdržljivost pružila slične prednosti. Ovaj TLC/MLC flash male izdržljivosti bio bi tretiran kao „Read/Write Occasionaly“ prostor za skladištenje podataka. Slična rešenja sigurno ćemo viđati u narednih tri do pet godina i ona će zavisiti od toga koliko brzo NAND alternative sazrevaju i koliko uspešno kompanije mogu iskorišćavati buduće procesne čvorove.
Srpski :