Samsung započinje proizvodnju 96-slojnih V-NAND memorija

Manji i brži sa upotrebom manje energije, Samsung započinje masovnu proizvodnju 96-slojnih V-NAND memorija. Kompanija je najavila masovnu proizvodnju V-NAND memorije 5. generacije sa novim high-speed memorijskim interfejsom, manjom snagom i još jednom velikim smanjenjem latence pisanja. Ovo je prva Samsung-ova 96-slojna memorija, ali trenutna verzija proizvodnje neće povećavati veličine SSD-a. Samsung je odlučio da izgradi 256Gbit (32GB), iste veličine koja se danas koristi za većinu Samsung potrošačkih SSD uređaja. U saopštenju za medije je pomenuta budućnost 1Tbit (128GB) koja će uskoro slediti kako u TLC, tako i u QLC testovima. Nova 96-slojna memorija stavlja naglasak na snagu, performanse i lako možemo pretpostaviti trošak iz nove vertikalne visine stuba koji bi trebalo da smanji fizičku X, I veličinu na pločama. Samsung je preselio novu memoriju na Toggle DDR 4.0 interfejs sa performansama do 1,4 Gbps nazad do kontrolera. Ovo je povećanje od 40% u odnosu na četvrtu generaciju TLC memorije.

Nova memorija ima najveće brzine pisanja do sada sa samo 500-mikrosekundnom latencijom, a 30% smanjenje od prethodne generacije. 5. generacija V-NAND-a takođe smanjuje radne napone na samo 1.2v, što je manje od 1.8V.